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性能
基底
ZnSe, Si, Ge
面型
<λ/20 per 25mm @ 10.6μm
光线变形
λ/10 per 25mm @ 10.6μm
表面质量
40-20
同心度
3-5 arc mins
直径公差
+0.0/-0.20mm
厚度公差
± 0.2mm