基底

ZnSe, Si, Ge

面型

<λ/20 per 25mm @ 10.6μm

光线变形度

λ/10 per 25mm @ 10.6μm

表面质量

40-20

同心度

3-5 arc mins

半径容差

+0.0/-0.20mm

厚度容差

± 0.2mm